[发明专利]TMBS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610024810.X | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105529372B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TMBS器件，包括：形成有N型外延层的N型半导体衬底，形成N型外延层中的多个沟槽，在各沟槽中的内部表面形成有栅介质层并填充有多晶硅栅。在各沟槽外的N型外延层表面形成有密度和深度能够调整的可控晶格缺陷，在可控晶格缺陷表面形成有肖特基金属接触，通过调整可控晶格缺陷的密度和深度来降低TMBS器件的正向导通电压；正面金属层覆盖在肖特基金属接触和多晶硅栅表面并引出正极；在N型半导体衬底的背面形成有背面金属层并引出负极。本发明还公开了一种TMBS器件的制造方法。本发明能降低器件的正向导通电压、提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | tmbs 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TMBS器件，其特征在于，包括：N型半导体衬底，在所述N型半导体衬底上形成有N型外延层；在所述N型外延层中形成有多个沟槽，在各所述沟槽中的内部表面形成有栅介质层，在形成有所述栅介质层的各所述沟槽中填充有多晶硅栅；在各所述沟槽外的所述N型外延层表面形成有可控晶格缺陷，所述可控晶格缺陷的密度和深度能够调整；在所述可控晶格缺陷表面形成有肖特基金属接触，通过调整所述可控晶格缺陷的密度和深度来降低TMBS器件的正向导通电压；正面金属层覆盖在所述肖特基金属接触和所述多晶硅栅表面，所述正面金属层引出正极；在所述N型半导体衬底的背面形成有背面金属层，所述背面金属层引出负极；所述N型半导体衬底为N型硅衬底，所述N型外延层为N型硅外延层；所述可控晶格缺陷通过硅离子注入形成，通过调节所述硅离子注入的剂量调节所述可控晶格缺陷的密度，通过调节所述硅离子注入的能量调节所述可控晶格缺陷的深度。
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