[发明专利]一种基于自燃烧的低温制备氧化铪介质层的方法在审
申请号: | 201610022644.X | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105540662A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 朱国栋;翁军辉 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C01G27/02 | 分类号: | C01G27/02;H01L21/324 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于电子材料和器件技术领域,具体为一种基于自燃烧的低温制备氧化铪介质薄膜的方法。本发明方法是在四氯化铪的乙醇溶液中添加柠檬酸作为燃烧剂,同时添加水和硝酸作为氧化剂,溶液旋涂成膜;然后在热处理温度高于220℃的条件下,使柠檬酸发生自燃烧,放出热量,以有效提高介质薄膜内部温度,从而在低于300℃的热处理温度下形成氧化铪薄膜。本发明实现了在低于300℃的温度下制备高质量氧化铪介质薄膜,从而可与柔性基板兼容,可应用于柔性电子器件中。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 燃烧 低温 制备 氧化 介质 方法 | ||
【主权项】:
一种基于自燃烧的低温制备氧化铪介质薄膜的方法,其特征在于,在四氯化铪的乙醇溶液中添加柠檬酸作为燃烧剂,同时添加水和硝酸作为氧化剂,溶液旋涂成膜;然后在热处理温度高于220℃的条件下,使柠檬酸发生自燃烧,放出热量,以有效提高介质薄膜内部温度,从而在低于300℃的热处理温度下形成氧化铪薄膜。
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