[发明专利]一种反应腔室和半导体设备有效
| 申请号： | 201610022270.1 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106971932B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室和半导体设备，腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，腔室下方设置有下电极，下电极包括卡盘和与卡盘连接的升降部，卡盘用于承载基片，升降部用于驱动卡盘升降，工艺时，升降部驱动卡盘上升到高位，使得基片被内衬环绕包围；腔室还包括屏蔽部，工艺时，屏蔽部将腔室分为隔离的上腔室和下腔室，卡盘位于上腔室内，升降部位于下腔室内；工艺结束后，升降部驱动卡盘下降到低位，上腔室和下腔室连通。本发明中的反应腔室内工艺时，基片被内衬环绕包围，基片周围的腔室环境对称，从而提高了基片表面工艺条件的一致性，例如等离子体的均匀分布，进而改善刻蚀结果的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，所述腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，所述腔室上方的中心位置处设置有工艺气体入口，所述腔室下方设置有下电极，其特征在于，所述下电极包括卡盘和与所述卡盘连接的升降部，所述卡盘用于承载基片，所述升降部用于驱动所述卡盘升降，工艺时，所述升降部驱动所述卡盘上升到高位，使得所述基片被所述内衬环绕包围；所述腔室还包括屏蔽部，工艺时，所述屏蔽部将所述腔室分为隔离的上腔室和下腔室，所述卡盘位于所述上腔室内，所述升降部位于所述下腔室内；工艺结束后，所述升降部驱动所述卡盘下降到低位，所述上腔室和下腔室连通。
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