[发明专利]一种反应腔室和半导体设备

说明书

本发明公开了一种反应腔室和半导体设备，腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，腔室下方设置有下电极，下电极包括卡盘和与卡盘连接的升降部，卡盘用于承载基片，升降部用于驱动卡盘升降，工艺时，升降部驱动卡盘上升到高位，使得基片被内衬环绕包围；腔室还包括屏蔽部，工艺时，屏蔽部将腔室分为隔离的上腔室和下腔室，卡盘位于上腔室内，升降部位于下腔室内；工艺结束后，升降部驱动卡盘下降到低位，上腔室和下腔室连通。本发明中的反应腔室内工艺时，基片被内衬环绕包围，基片周围的腔室环境对称，从而提高了基片表面工艺条件的一致性，例如等离子体的均匀分布，进而改善刻蚀结果的均匀性。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及反应腔室和半导体设备。

背景技术

LED刻蚀机是LED光源生产过程中所需要的非常重要的设备，GaN基外延层或蓝宝石衬底是刻蚀的主要对象，刻蚀的效果直接关系到光源芯片的质量高低，进而影响光源的质量。同IC领域一样，LED刻蚀机的组成包括传输和工艺两个模块，二者共同影响着刻蚀的效率或者说设备的产能，而刻蚀结果主要是工艺模块决定的，工艺腔室的设计直接影响基片的刻蚀效果。

如图1所示，现有的一种LED刻蚀机反应室里包括：腔室本体1、内衬2、内门4、内门支撑杆5、卡盘7。腔室本体1设置有传片口3、工艺气体入口8、工艺气体出口9，为了方便腔室维护及保护腔室不被刻蚀，腔室本体1内表面设计有内衬2。基片6放于卡盘7上，为了保证工艺时基片6表面气流的均匀性，内衬2底面低于基片6表面，同时为了实现机械手传片，内衬2靠近传输腔一侧设计有传片口3，为了使得工艺时等离子体在腔室本体1内分布尽可能对称，在内衬2的外侧设计有内门4，内门4的下方设置有内门支撑杆5，传片时内门4下降，工艺时内门4升起与内衬2构成整圆，工艺气体出口9设置于内衬2外，内衬2底面设置有气孔10，等离子体由工艺气体入口8进入对基片6进行刻蚀，再由气孔10到达工艺气体出口9。考虑到腔室本体1、内衬2、内门4的加工误差及装配误差，内门4与内衬2之间不可避免会存在间隙，大概在1～3mm，此间隙造成了环绕基片6的腔室环境不对称，从而导致工艺过程中基片6表面的工艺条件不一致，例如等离子体的分布不均，进而影响刻蚀结果的均匀性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种反应腔室和半导体设备，该反应腔室工艺时，基片被内衬环绕包围，基片周围的腔室环境对称，从而提高了基片表面工艺条件的一致性，例如等离子体的均匀分布，进而改善刻蚀结果的均匀性。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种反应腔室，所述腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，所述腔室下方设置有下电极，所述下电极包括卡盘和与所述卡盘连接的升降部，所述卡盘用于承载基片，所述升降部用于驱动所述卡盘升降，工艺时，所述升降部驱动所述卡盘上升到高位，使得所述基片被所述内衬环绕包围；

所述腔室还包括屏蔽部，工艺时，所述屏蔽部将所述腔室分为隔离的上腔室和下腔室，所述卡盘位于所述上腔室内，所述升降部位于所述下腔室内；

工艺结束后，所述升降部驱动所述卡盘下降到低位，所述上腔室和下腔室连通。

优选的是，所述屏蔽部包括设置在所述腔室底部的凸台，设置在所述凸台上的第一屏蔽件，和设置在所述卡盘上的第二屏蔽件；

工艺时，所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件连接，所述上腔室与所述下腔室隔离；

工艺结束后，所述第一屏蔽件与所述第二屏蔽件分离，所述上腔室与所述下腔室连通。

优选的是，所述第二屏蔽件包括第一壁和第二壁，所述第一壁的一端与所述卡盘连接，所述第一壁的另外一端与所述第二壁连接，工艺时，所述第二壁与所述第一屏蔽件连接且相适配。

优选的是，所述屏蔽部还包括密封圈，所述密封圈设置于所述第一屏蔽件或所述第二屏蔽件上，