[发明专利]信号接收装置和信号处理设备

摘要

本发明公开了一种信号接收装置和信号输入设备，涉及半导体技术领域，装置包括输入端，用于接收来自外部的输入信号；第一电路部分，其包括第一PMOS晶体管、使能开关、第一保护开关和第一传输门，第一PMOS晶体管经第一保护开关、使能开关连接至第一电源轨，第一PMOS晶体管的栅极经第一传输门连接至输入端；第二电路部分，其包括下拉晶体管、第一NMOS晶体管、第二保护开关和第二传输门，第一NMOS晶体管连接在输出节点和第二电源轨之间，第二保护开关连接在输出节点与第一节点之间，下拉晶体管并联连接在输出节点与第二电源轨之间，第一NMOS晶体管的栅极经第二传输门连接至输入端；使能开关和下拉晶体管分别受第一使能信号和第二使能信号的控制而导通或断开。

主权项

一种信号接收装置，其特征在于，包括：输入端，用于接收来自外部的输入信号；第一电路部分，包括第一PMOS晶体管、使能开关、第一保护开关和第一传输门，所述使能开关连接在所述第一PMOS晶体管和第一电源轨之间，所述第一保护开关连接在第一节点和所述第一PMOS晶体管之间，其中所述第一PMOS晶体管的栅极经所述第一传输门连接至所述输入端，所述第一传输门用于对输入信号的电压进行钳位，并将钳位的电压输入到所述第一PMOS晶体管的栅极，所述使能开关受第一使能信号的控制而导通或断开，所述第一保护开关被设置为在第一PMOS晶体管导通时保持导通，第二电路部分，包括下拉晶体管、第一NMOS晶体管、第二保护开关和第二传输门，所述第一NMOS晶体管连接在输出节点和第二电源轨之间，所述第二保护开关连接在所述输出节点与第一节点之间，所述下拉晶体管并联连接在所述输出节点与所述第二电源轨之间，其中所述第一NMOS晶体管的栅极经所述第二传输门连接至所述输入端，所述第二传输门用于对输入信号的电压进行钳位，并将钳位的电压输入到所述第一NMOS晶体管的栅极，所述第二保护开关被设置为在所述第一NMOS晶体管导通时保持导通，所述下拉晶体管受第二使能信号的控制而导通或断开，其中，所述第一电源轨和第二电源轨两者之间提供第一电源域电压，并且其中，构成所述第一传输门、所述第二传输门、所述第一PMOS晶体管、所述使能开关、所述第一保护开关、所述第一NMOS晶体管、所述下拉晶体管和所述第二保护开关的各器件的耐受电压低于所述第一电源域电压。