[发明专利]信号接收装置和信号处理设备

权利要求书

1.一种信号接收装置，其特征在于，包括：

输入端，用于接收来自外部的输入信号；

第一电路部分，包括第一PMOS晶体管、使能开关、第一保护开关和第一传输门，所述使能开关连接在所述第一PMOS晶体管和第一电源轨之间，所述第一保护开关连接在第一节点和所述第一PMOS晶体管之间，其中

所述第一PMOS晶体管的栅极经所述第一传输门连接至所述输入端，

所述第一传输门用于对输入信号的电压进行钳位，并将钳位的电压输入到所述第一PMOS晶体管的栅极，

所述使能开关受第一使能信号的控制而导通或断开，

所述第一保护开关被设置为在第一PMOS晶体管导通时保持导通，

第二电路部分，包括下拉晶体管、第一NMOS晶体管、第二保护开关和第二传输门，所述第一NMOS晶体管连接在输出节点和第二电源轨之间，所述第二保护开关连接在所述输出节点与第一节点之间，所述下拉晶体管与所述第一NMOS晶体管并联地连接在所述输出节点与所述第二电源轨之间，其中

所述第一NMOS晶体管的栅极经所述第二传输门连接至所述输入端，

所述第二传输门用于对输入信号的电压进行钳位，并将钳位的电压输入到所述第一NMOS晶体管的栅极，

所述第二保护开关被设置为在所述第一NMOS晶体管导通时保持导通，

所述下拉晶体管受第二使能信号的控制而导通或断开，

其中，所述第一电源轨和第二电源轨两者之间提供第一电源域电压，并且

其中，构成所述第一传输门、所述第二传输门、所述第一PMOS晶体管、所述使能开关、所述第一保护开关、所述第一NMOS晶体管、所述下拉晶体管和所述第二保护开关的各器件的耐受电压低于所述第一电源域电压。

2.根据权利要求1所述的信号接收装置，其特征在于，所述第一使能信号和所述第二使能信号在逻辑上相同。

3.根据权利要求1所述的信号接收装置，其特征在于，所述输出节点操作连接到内核电路。

4.根据权利要求1所述的信号接收装置，其特征在于，还包括：

使能信号产生电路，用于根据来自内核电路的控制信号，产生所述第一使能信号和第二使能信号。

5.根据权利要求4所述的信号接收装置，其特征在于，所述使能信号产生电路包括差分放大器，其中：

所述差分放大器的一个输入接收所述控制信号，另一个输入接收所述控制信号的反，并且

所述差分放大器的一个输出端输出所述第一使能信号。

6.根据权利要求5所述的信号接收装置，其特征在于，所述差分放大器包括：

左支电路部分，连接在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间，所述左支电路部分包括第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中

所述第二NMOS晶体管的漏极经第三保护开关和第四保护开关连接至第二节点，所述第二NMOS晶体管的源极连接至所述第二电源轨，

所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源轨，所述第二PMOS晶体管的漏极连接至所述第二节点，

所述第三保护开关和所述第四保护开关保持导通；右支电路部分，连接在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间，所述右支电路部分包括第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管，其中

所述第三NMOS晶体管的漏极经第五保护开关和第六保护开关连接至第三节点，所述第三NMOS晶体管的源极连接至所述第二电源轨，

所述第三PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源轨，所述第三PMOS晶体管的漏极连接至所述第三节点；

所述第五保护开关和所述第六保护开关保持导通；

其中，所述第二PMOS晶体管的栅极连接至所述第三节点，所述第三PMOS晶体管的栅极连接至所述第二节点；并且

所述第二节点或所述第三节点中的一个作为所述输出端输出所述第一使能信号。

7.根据权利要求3所述的信号接收装置，其特征在于，还包括：级联的一个或多个反相器，连接在所述输出节点和所述内核电路之间，用于将所述输出节点的信号输入到所述内核电路。