[发明专利]用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路有效
申请号: | 201610013438.2 | 申请日: | 2016-01-08 |
公开(公告)号: | CN105450182B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 姚远;黄武康;代军;杨志飞;胡建鹏 | 申请(专利权)人: | 嘉兴禾润电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/217 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市凌公塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路,包括彼此对称的第一电路支路和第二电路支路,每个电路支路皆包括一个三输入的与非门、一个比较器、一个POMS管、三个NMOS管和三个反相器。第一、第二电路支路连接在D类功放芯片的前置放大器的正相、反相输入端和第一电容的一个极板、第二电容的一个极板之间,在启动信号和控制信号的作用下检测第一电容的该极板、第二电容的该极板上的电压是否低于前置放大器的共模电压,并在检测结果为是时使电源电压对第一、第二电容充电。本发明的用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路能够在D类功放芯片上电阶段实现大电流对输入电容充电,即使启动时间较短也能很好的抑制上电POP声。 | ||
搜索关键词: | 电路支路 电容 极板 上电 芯片 抑制电路 前置放大器 反相输入端 电容充电 电源电压 共模电压 检测结果 控制信号 启动信号 上电阶段 输入电容 比较器 大电流 反相器 与非门 充电 对称 检测 | ||
【主权项】:
1.一种用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路,所述D类功放芯片包括前置放大器、联接到所述前置放大器的正相输入端的第一电容和联接到所述前置放大器的反相输入端的第二电容,其特征在于,用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路包括连接在所述前置放大器的正相输入端和所述第一电容之间的第一电路支路以及连接在所述前置放大器的反相输入端和所述第二电容之间的第二电路支路;所述第一电路支路和所述第二电路支路彼此对称;所述第一电路支路与电源电压相连,包括连接在所述前置放大器的正相输入端和所述第一电容之间的第一开关管,所述第一开关管接受来自外界的启动信号以控制所述前置放大器的正相输入端和所述第一电容之间的导通与否;所述第一电路支路还接受来自外界的控制信号以在所述控制信号的控制下将所述第一电容的端电压与所述前置放大器的共模电压进行比较,以及在获得的比较结果为所述第一电容的端电压低于所述共模电压时使所述电源电压对所述第一电容充电,并在;所述第二电路支路与所述电源电压相连,包括连接在所述前置放大器的反相输入端和所述第二电容之间的第二开关管,所述第二开关管接受所述启动信号以控制所述前置放大器的反相输入端和所述第二电容之间的导通与否;所述第二电路支路还接受所述控制信号以在所述控制信号的控制下将所述第二电容的端电压与所述前置放大器的所述共模电压进行比较,以及在获得的比较结果为所述第二电容的端电压低于所述共模电压时使所述电源电压对所述第二电容充电;所述第一开关管为第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接到所述前置放大器的正相输入端,漏极连接到所述第一电容的一个极板;所述第二开关管为第二NMOS管,所述第二NMOS管的源极连接到所述前置放大器的反相输入端,漏极连接到所述第二电容的一个极板;所述启动信号作用在所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极上;所述第一电容的端电压为所述第一电容的所述极板上的电压,所述第二电容的端电压为所述第二电容的所述极板上的电压;所述控制信号为时钟信号;当所述第一、第二电路支路接受到所述时钟信号是高电平时,将所述第一、第二电容的端电压与所述前置放大器的共模电压进行比较;当所述第一、第二电路支路接受到所述时钟信号是低电平且之前获得的比较结果为所述第一、第二电容的端电压低于所述共模电压时,使所述电源电压对所述第一、第二电容充电。
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