[发明专利]用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路有效

专利信息
申请号: 201610013438.2 申请日: 2016-01-08
公开(公告)号: CN105450182B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 姚远;黄武康;代军;杨志飞;胡建鹏 申请(专利权)人: 嘉兴禾润电子科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/217
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 314006 浙江省嘉兴市凌公塘*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电路支路 电容 极板 上电 芯片 抑制电路 前置放大器 反相输入端 电容充电 电源电压 共模电压 检测结果 控制信号 启动信号 上电阶段 输入电容 比较器 大电流 反相器 与非门 充电 对称 检测
【说明书】:

发明公开了一种用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路,包括彼此对称的第一电路支路和第二电路支路,每个电路支路皆包括一个三输入的与非门、一个比较器、一个POMS管、三个NMOS管和三个反相器。第一、第二电路支路连接在D类功放芯片的前置放大器的正相、反相输入端和第一电容的一个极板、第二电容的一个极板之间,在启动信号和控制信号的作用下检测第一电容的该极板、第二电容的该极板上的电压是否低于前置放大器的共模电压,并在检测结果为是时使电源电压对第一、第二电容充电。本发明的用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路能够在D类功放芯片上电阶段实现大电流对输入电容充电,即使启动时间较短也能很好的抑制上电POP声。

技术领域

本发明涉及D类功放芯片,尤其涉及一种用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路。

背景技术

如图1所示,D类功放芯片包括前置放大器PRE和两个输入电容,即联接到前置放大器PRE的正相输入端的C+和联接到前置放大器PRE的反相输入端的C-,其在上电阶段有个对输入电容C+、C-充电的过程,如果不能在启动时间Ton内把输入电容C+、C-的端电压充到前置放大器PRE的共模电压,就有可能产生POP声(即耳机或喇叭等音频系统刚被打开时发出的“噗噗”声)。

现有技术的用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路如图1所示,包括两路彼此对称的电路支路,它们分别接入在前置放大器PRE的正相输入端、反相输入端和电容C+、C-之间,每一电路支路包括依次连接的电阻和NMOS管,启动信号Ton作用在每一电路支路的NMOS管的栅极。在该现有技术中,一般都是在启动时间(即启动信号Ton为高电平,Ton=1)内,通过把前置放大器PRE接成单位增益对输入电容C+、C-充电,由于在充电过程中IN1+为前置放大器PRE的共模电压,充电电流较小,因此要减小POP声,一般都是通过增大启动时间Ton的方式。但这样的方法在一些对启动时间Ton的最大值有限制的场合,就不适用了。

因此,本领域的技术人员致力于开发一种用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路,在启动时间较短的情况下也能很好的抑制上电POP声。

发明内容

为实现上述目的,本发明提供了一种用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路,所述D类功放芯片包括前置放大器、联接到所述前置放大器的正相输入端的第一电容和联接到所述前置放大器的反相输入端的第二电容,其特征在于,用于D类功放芯片的上电POP声抑制电路包括连接在所述前置放大器的正相输入端和所述第一电容之间的第一电路支路以及连接在所述前置放大器的反相输入端和所述第二电容之间的第二电路支路;所述第一电路支路和所述第二点路支路彼此对称;

所述第一电路支路与电源电压相连,包括连接在所述前置放大器的正相输入端和所述第一电容之间的第一开关管,所述第一开关管接受来自外界的启动信号以控制所述前置放大器的正相输入端和所述第一电容之间的导通与否;所述第一电路支路还接受来自外界的控制信号以在所述控制信号的控制下将所述第一电容的端电压与所述前置放大器的共模电压进行比较,以及在获得的比较结果为所述第一电容的端电压低于所述共模电压时使所述电源电压对所述第一电容充电,并在;

所述第二电路支路与所述电源电压相连,包括连接在所述前置放大器的反相输入端和所述第二电容之间的第二开关管,所述第二开关管接受所述启动信号以控制所述前置放大器的反相输入端和所述第二电容之间的导通与否;所述第二电路支路还接受所述控制信号以在所述控制信号的控制下将所述第二电容的端电压与所述前置放大器的所述共模电压进行比较,以及在获得的比较结果为所述第二电容的端电压低于所述共模电压时使所述电源电压对所述第二电容充电。

进一步地,所述第一开关管为第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接到所述前置放大器的正相输入端,漏极连接到所述第一电容的一个极板;所述第二开关管为第二NMOS管,所述第二NMOS管的源极连接到所述前置放大器的反相输入端,漏极连接到所述第二电容的一个极板;所述启动信号作用在所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极上;

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