[发明专利]一种CdS/ZnO核壳结构纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201610009846.0 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105645462B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡春锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学城市学院 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 310015*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CdS/ZnO核壳结构纳米线的制备方法，包括如下步骤步骤1、在清洁的衬底表面制备籽晶层；步骤2、将步骤1获得的具有籽晶层的衬底置于高温管式炉中，以充分混合的高纯ZnO和C粉为反应源，将反应源温度升至900～950℃，衬底温度为600～650℃，制备得到ZnO纳米线阵列；步骤3、对ZnO纳米线进行表面硫化处理；步骤4、包裹CdS壳层结构。本发明的有益效果是在ZnO纳米线表面进行硫化处理，过程简单，是对现有制备技术的改进。ZnO表面经硫化处理，形成S悬挂键，能够更有效的接受与沉积CdS分子，实现两者界面的平滑过渡，提高该结构的电子输运特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cds zno 结构 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdS/ZnO核壳结构纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在清洁的衬底表面制备籽晶层；步骤2、将步骤1获得的具有籽晶层的衬底置于高温管式炉中，以充分混合的高纯ZnO和C粉为反应源，将反应源温度升至900～950℃，衬底温度为400～500℃，制备得到ZnO纳米线阵列；步骤3、对ZnO纳米线进行表面硫化处理；步骤4、包裹CdS壳层结构；将经步骤3处理样品放入管式炉末端低温区中，以高纯CdO粉末与石墨粉末的混合物作为Cd源，以高纯S粉作为S源；将ZnO纳米线衬底、CdO和石墨混合粉末与S粉分别快速加热至200～250℃、450～500℃和250～300℃；CdO与石墨粉在高温下发生还原反应，形成Cd金属蒸汽；Cd金属蒸汽与S蒸汽在经过S化的ZnO纳米线表面沉积，形成CdS/ZnO核壳纳米线结构。
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