[发明专利]一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法有效
| 申请号： | 201610009580.X | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105420815B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 孟祥敏;夏静;李玄泽;朱丹丹;王磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/64;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张文祎,赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8‑20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20‑300Torr，并保持气体流速在20‑200sccm间；将水平管式炉加热中心升温至600‑800℃，反应时间为5‑30分钟，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长有硫化亚锡二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性较强，获得的SnS具有尺寸大、均匀性好、结晶度高等优点，在场效应晶体管、光电探测器、光催化制氢、锂离子电池等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 制备 交相 硫化 二维 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1）选取具有原子级平整光滑的衬底作为SnS的生长衬底；2）将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8‑20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将耐高温容器置于水平管式炉的加热中心；3）对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20‑300Torr，并保持不活泼气体流速在20‑200sccm间；4）将水平管式炉加热中心升温至600‑800℃，升温速率保持为5‑20℃/min间，反应时间为5‑30分钟；5）反应结束后，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长SnS二维单晶纳米片。
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