[发明专利]一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法

权利要求书

1.一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

1）选取具有原子级平整光滑的衬底作为SnS的生长衬底；

2）将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将耐高温容器置于水平管式炉的加热中心；

3）对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20-300Torr，并保持不活泼气体流速在20-200sccm间；

4）将水平管式炉加热中心升温至600-800℃，升温速率保持为5-20℃/min间，反应时间为5-30分钟；

5）反应结束后，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长SnS二维单晶纳米片。

2.根据权利要求1所述的可控制备正交相SnS二维单晶纳米片的方法，其特征在于：步骤1）中，所述衬底为云母片或者蓝宝石。

3.根据权利要求2所述的可控制备正交相SnS二维单晶纳米片的方法，其特征在于：步骤1）中，所述衬底为氟金云母片，并将氟金云母片从中间自然解理成两薄片，选取新的解理面作为生长面。

4.根据权利要求1所述的可控制备正交相SnS二维单晶纳米片的方法，其特征在于：步骤2）中，所述SnS粉末为高纯SnS粉末，纯度不低于99%。

5.根据权利要求1所述的可控制备正交相SnS二维单晶纳米片的方法，其特征在于：步骤2）中，所述耐高温容器为陶瓷舟、刚玉舟或者石英舟。

6.根据权利要求1所述的可控制备正交相SnS二维单晶纳米片的方法，其特征在于：步骤3）中，所述不活泼气体为氮气、氦气或氖气。