[发明专利]一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法

摘要

本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl2粉末、Se粉或S粉为源材料，氩气为载气，在高温条件下CdCl2蒸气与Se或S蒸气反应形成CdSe或CdS蒸气，然后沉积到云母片上形核并外延生长成为CdSe或CdS二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性强，获得的CdSe或CdS具有尺寸均匀性好、结晶度高等优点，在太阳能电池、场效应晶体管、光电探测器、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。

主权项

1.一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）选取具有二维层状结构的材料作为衬底，将表面光滑平整的一面作为生长面；2）将CdCl2粉末放入耐高温容器中，然后将其放在水平管式炉的加热中心区域，将Se粉放入耐高温容器中置于加热中心上游距离加热中心20-26cm，或者将S粉放入耐高温容器中置于加热中心上游距离加热中心24-30cm，将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心5-20cm；3）对水平管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使腔内气压回到大气压强；4）以20-30℃/min的速度升温至750℃-800℃并保持10-15分钟，在反应过程中不活泼气体的流速控制在15-30sccm；5）反应结束后，待管式炉自然降到室温，取出衬底，衬底上即生长有硒化镉或者硫化镉二维单晶纳米片。