[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
| 申请号： | 201610006808.X | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105762074A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 河原崎光 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种能够一边抑制界面层膜的氮化，一边促进高介电常数膜的氮化的热处理方法及热处理装置。将在硅基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数栅极绝缘膜的基板(W)收容在腔室(6)内。对腔室(6)供给氨气与氮气的混合气体而形成氨气氛围，在氨气氛围中从闪光灯(FL)以0.2毫秒以上且1秒以下的照射时间对基板(W)的表面照射闪光。由此，在氨气氛围中将高介电常数栅极绝缘膜加热而进行高介电常数栅极绝缘膜的氮化处理。另外，由于闪光照射时间极短，所以氮气不会到达形成在高介电常数栅极绝缘膜的底层的界面层膜而使其氮化。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种热处理方法，其特征在于：将在基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数膜的基板加热，且包括：收容步骤，将所述基板收容在腔室内；氛围形成步骤，对所述腔室内供给氨气而形成氨气氛围；以及闪光照射步骤，对收容在所述腔室内的所述基板的表面照射闪光而加热所述高介电常数膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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