[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
| 申请号： | 201610006808.X | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105762074A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 河原崎光 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 装置 | ||
1.一种热处理方法，其特征在于：将在基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数膜的基板加热，且包括：
收容步骤，将所述基板收容在腔室内；
氛围形成步骤，对所述腔室内供给氨气而形成氨气氛围；以及
闪光照射步骤，对收容在所述腔室内的所述基板的表面照射闪光而加热所述高介电常数膜。
2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述闪光照射步骤中，照射在分光分布中在波长200nm～300nm的范围内具有峰值的闪光。
3.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述闪光照射步骤中，照射在分光分布中波长300nm相对于波长500nm的相对强度为20％以上的闪光。
4.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述闪光照射步骤中，通过在氨气氛围中加热所述高介电常数膜而促进所述高介电常数膜的氮化。
5.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述氛围形成步骤中，一边将所述腔室内减压到小于大气压，一边形成氨气氛围。
6.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
所述闪光照射步骤中的闪光的照射时间为0.2毫秒以上且1秒以下。
7.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述闪光照射步骤之前，进行所述高介电常数膜的退火处理。
8.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述闪光照射步骤之后，进行所述高介电常数膜的退火处理。
9.一种热处理装置，其特征在于：将在基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数膜的基板加热，且包括：
腔室，收容所述基板；
氛围形成器件，对所述腔室内供给氨气而形成氨气氛围；以及
闪光灯，对收容在所述腔室内的所述基板的表面照射闪光。
10.根据权利要求9所述的热处理装置，其特征在于：
所述闪光灯照射在分光分布中在波长200nm～300nm的范围内具有峰值的闪光。
11.根据权利要求9所述的热处理装置，其特征在于：
所述闪光灯照射在分光分布中波长300nm相对于波长500nm的相对强度为20％以上的闪光。
12.根据权利要求9所述的热处理装置，其特征在于：
所述闪光灯的闪光照射时间为0.2毫秒以上且1秒以下。
13.根据权利要求9所述的热处理装置，其特征在于：
供来自所述闪光灯的闪光透过的所述腔室的窗是由合成石英形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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