[发明专利]一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201610005855.2 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105633136B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 胡合合 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT、其驱动方法、阵列基板及显示装置，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与有源层电性连接的源极和漏极；设置在有源层远离第一栅极的一侧且与有源层绝缘的第二栅极；第二栅极包括至少两条子栅极；各子栅极在衬底基板上的正投影与TFT的沟道区域在衬底基板上的正投影之间具有交叠区域。本发明利用可以控制整个沟道区域的第一栅极和可以控制部分沟道区域的第二栅极，使TFT的沟道区域的能带状态维持在一个相对稳定的状态，进而使TFT的开关特性维持稳定，有效提高了TFT的信赖性，保证了TFT具有良好的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 驱动 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与所述第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极；其特征在于，还包括：设置在所述有源层远离所述第一栅极的一侧且与所述有源层绝缘的第二栅极；所述第二栅极包括至少两条子栅极；各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投影之间具有交叠区域；在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反；在所述第一栅极未加载开启信号的相邻两个时间段内，同一所述子栅极加载的信号极性相反。
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