[发明专利]一种薄膜晶体管、其驱动方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的第一栅极，与所述第一栅极绝缘的有源层，以及相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极；其特征在于，还包括：

设置在所述有源层远离所述第一栅极的一侧且与所述有源层绝缘的第二栅极；所述第二栅极包括至少两条子栅极；

各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投影之间具有交叠区域；

在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反；

在所述第一栅极未加载开启信号的相邻两个时间段内，同一所述子栅极加载的信号极性相反。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各所述子栅极的延伸方向与所述源极指向漏极的方向相互交叉。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极包括多条成对排列的子栅极；

在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，各所述子栅极加载的信号正负极性交替排列。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各所述子栅极在所述衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管的沟道区域在所述衬底基板上的正投影之间的交叠区域的面积均相同。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各条所述子栅极沿垂直于所述源极指向漏极的方向的长度均大于或等于所述沟道区域的宽度。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，各条所述子栅极之间的间距大于或等于1μm。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，各条所述子栅极等间距分布。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为氧化物半导体。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极位于有源层的上方，所述第二栅极位于有源层的下方；或

所述第一栅极位于有源层的下方，所述第二栅极位于有源层的上方。

10.一种如权利要求1-9任一项所述薄膜晶体管的驱动方法，其特征在于，包括：

在第一栅极加载开启信号的各时间段内，第二栅极中的各子栅极无信号加载；

在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反；且在所述第一栅极未加载开启信号的相邻两个时间段内，同一所述子栅极加载的信号极性相反。

11.如权利要求10所述的驱动方法，其特征在于，在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，至少两条所述子栅极加载的信号极性相反，包括：

在所述第一栅极未加载开启信号的各时间段内，各所述子栅极加载的信号正负极性交替排列。

12.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的阵列基板。