[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法、和显示装置有效
| 申请号： | 201610003913.8 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105470196B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 田宏伟;牛亚男;唐亮;张朝波;绰洛鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 姜利芳;李峥 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法包括：在衬底之上形成有源层；在所述有源层之上形成栅极；在所述栅极之上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上形成挡光部，所述挡光部被布置在所述栅极的边缘部分之上，以使所述挡光部能够遮挡从所述栅极的所述边缘部分进入所述有源层的光。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底之上形成有源层；在所述有源层之上形成栅极；在所述栅极之上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上形成挡光部，所述挡光部被布置在所述栅极的边缘部分之上，以使所述挡光部能够遮挡从所述栅极的所述边缘部分进入所述有源层的光，其中，所述挡光部包括导电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610003913.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种预包封引线框架的制造方法
- 下一篇：TFT基板的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
