[发明专利]氮化钛的形成方法有效
| 申请号： | 201610003779.1 | 申请日： | 2016-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106939411B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 徐建华;刘英明;荆学珍;何* | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种氮化钛的形成方法，包括：第一步骤，将待处理晶圆置于物理气相沉积腔室中进行氮化钛的物理气相沉积；第二步骤，将遮挡片置于所述物理气相沉积腔室中进行纯钛的物理气相沉积；第三步骤，对所述物理气相沉积腔室进行冲净处理；第一过程，在进行m次所述第一步骤后，进行1次所述第二步骤；第二过程，在重复n次所述第一过程后，先进行k次所述第一步骤，再进行1次所述第三步骤；m，n和k为大于1的整数。所述形成方法能够使得在氮化钛的形成过程中，避免物理气相沉积腔室内表面和聚焦环表面的氮化钛容易掉落到相应晶圆表面，从而提高晶圆上芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化钛的形成方法，其特征在于，包括：第一步骤，将待处理晶圆置于物理气相沉积腔室中进行氮化钛的物理气相沉积；第二步骤，将遮挡片置于所述物理气相沉积腔室中进行纯钛的物理气相沉积；第三步骤，对所述物理气相沉积腔室进行冲净处理；第一过程，在进行m次所述第一步骤后，进行1次所述第二步骤；第二过程，在重复n次所述第一过程后，先进行k次所述第一步骤，再进行1次所述第三步骤；m，n和k为大于1的整数。
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