[发明专利]氮化钛的形成方法有效
申请号: | 201610003779.1 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN106939411B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 徐建华;刘英明;荆学珍;何* | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;H01L21/3205 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴圳添;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 形成 方法 | ||
1.一种氮化钛的形成方法,其特征在于,包括:
第一步骤,将待处理晶圆置于物理气相沉积腔室中进行氮化钛的物理气相沉积;
第二步骤,将遮挡片置于所述物理气相沉积腔室中进行纯钛的物理气相沉积;
第三步骤,对所述物理气相沉积腔室进行冲净处理;
第一过程,在进行m次所述第一步骤后,进行1次所述第二步骤;
第二过程,在重复n次所述第一过程后,先进行k次所述第一步骤,再进行1次所述第三步骤;
m,n和k为大于1的整数。
2.如权利要求1所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,重复进行所述第二过程。
3.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,所述第二步骤的持续时间为4min~6min。
4.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,所述第三步骤的持续时间为0.5h~1.0h。
5.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,对一盒晶舟中的全部所述待处理晶圆都进行所述第一步骤后,进行所述第三步骤。
6.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,m为4、5或者6。
7.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,m为5,n为5,k等于m。
8.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,所述第三步骤采用惰性气体对所述物理气相沉积腔室进行所述冲净处理。
9.如权利要求8所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气,所述氩气的压强为5Torr~10Torr。
10.如权利要求1或2所述的氮化钛的形成方法,其特征在于,所述待处理晶圆具有前层,所述第一步骤沉积的氮化钛沉积在所述前层表面,所述前层为高K介质层、功函数金属层、氧化硅层或者帽盖层。
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