[发明专利]降低边缘应力的晶圆级封装方法在审

专利信息
申请号: 201610003474.0 申请日: 2016-01-02
公开(公告)号: CN105632911A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 秦飞;史戈;别晓锐;安彤;肖智轶 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;H01L21/78
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及晶圆级芯片封装领域,涉及一种降低边缘应力的晶圆级封装方法。本发明步骤:步骤1,提供带有功能区、焊盘、晶圆;步骤2,提供盖板,盖板与支撑墙键合在一起;步骤3,利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆键合在一起;步骤4,对晶圆第二表面上切割道的位置进行预切割,并切割去除一定厚度的支撑墙,形成第一槽体;步骤5,对晶圆第二表面进行刻蚀,将焊盘上的材料去除,形成第二槽体;步骤6,制作重分布层,在晶圆第二表面制作重分布层;步骤7,对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明通过对切割道边缘、金属层以及介质层进行包裹及保护,降低了芯片边缘部分发生分层、开裂的风险;改善焊盘与金属线之间的电性连接。
搜索关键词: 降低 边缘 应力 晶圆级 封装 方法
【主权项】:
降低边缘应力的晶圆级封装方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,提供晶圆(100),所述晶圆具有第一表面(100a)和与其相对的第二表面(100b),所述第一表面上制作有若干功能区(101),连接功能区与焊盘(102)间信号的介质层(103),及各功能区周边的至少一焊盘,相邻功能区之间有未覆盖焊盘的切割道(105);步骤2,提供盖板(300),盖板与支撑墙(200)键合在一起;步骤3,利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆第一表面键合在一起,使晶圆第一表面的功能区置于支撑墙形成空腔的中央;步骤4,对晶圆第二表面上对应切割道的位置进行预切割,并切割去除部分的支撑墙,形成第一槽体(104);步骤5,对晶圆第二表面进行刻蚀,将焊盘上方的材料去除,形成第二槽体(106);步骤6,在晶圆第二表面及第二槽体内壁制作重分布层,将焊盘的电性通过第二槽体导通到预设的焊球(404)的位置;重分布层结构包括钝化层(401)、金属层布线层(402)和防焊层(403)。同时在第一槽体(104)中也制作钝化层(401)与防焊层(403),形成对预切割形成的第一槽体(104)的包裹;步骤7,对晶圆沿着切割道(105)进行切割以形成单颗芯片的封装体。
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