[发明专利]降低边缘应力的晶圆级封装方法在审
申请号: | 201610003474.0 | 申请日: | 2016-01-02 |
公开(公告)号: | CN105632911A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 秦飞;史戈;别晓锐;安彤;肖智轶 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及晶圆级芯片封装领域,涉及一种降低边缘应力的晶圆级封装方法。本发明步骤:步骤1,提供带有功能区、焊盘、晶圆;步骤2,提供盖板,盖板与支撑墙键合在一起;步骤3,利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆键合在一起;步骤4,对晶圆第二表面上切割道的位置进行预切割,并切割去除一定厚度的支撑墙,形成第一槽体;步骤5,对晶圆第二表面进行刻蚀,将焊盘上的材料去除,形成第二槽体;步骤6,制作重分布层,在晶圆第二表面制作重分布层;步骤7,对晶圆沿着切割道进行切割以形成单颗芯片的封装。本发明通过对切割道边缘、金属层以及介质层进行包裹及保护,降低了芯片边缘部分发生分层、开裂的风险;改善焊盘与金属线之间的电性连接。 | ||
搜索关键词: | 降低 边缘 应力 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】:
降低边缘应力的晶圆级封装方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,提供晶圆(100),所述晶圆具有第一表面(100a)和与其相对的第二表面(100b),所述第一表面上制作有若干功能区(101),连接功能区与焊盘(102)间信号的介质层(103),及各功能区周边的至少一焊盘,相邻功能区之间有未覆盖焊盘的切割道(105);步骤2,提供盖板(300),盖板与支撑墙(200)键合在一起;步骤3,利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆第一表面键合在一起,使晶圆第一表面的功能区置于支撑墙形成空腔的中央;步骤4,对晶圆第二表面上对应切割道的位置进行预切割,并切割去除部分的支撑墙,形成第一槽体(104);步骤5,对晶圆第二表面进行刻蚀,将焊盘上方的材料去除,形成第二槽体(106);步骤6,在晶圆第二表面及第二槽体内壁制作重分布层,将焊盘的电性通过第二槽体导通到预设的焊球(404)的位置;重分布层结构包括钝化层(401)、金属层布线层(402)和防焊层(403)。同时在第一槽体(104)中也制作钝化层(401)与防焊层(403),形成对预切割形成的第一槽体(104)的包裹;步骤7,对晶圆沿着切割道(105)进行切割以形成单颗芯片的封装体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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