[发明专利]降低边缘应力的晶圆级封装方法

权利要求书

1.降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，提供晶圆(100)，所述晶圆具有第一表面(100a)和与其相 对的第二表面(100b)，所述第一表面上制作有若干功能区(101)，连接 功能区与焊盘(102)间信号的介质层(103)，及各功能区周边的至少一 焊盘，相邻功能区之间有未覆盖焊盘的切割道(105)；

步骤2，提供盖板(300)，盖板与支撑墙(200)键合在一起；

步骤3，利用键合胶将带有支撑墙的盖板与晶圆第一表面键合在一 起，使晶圆第一表面的功能区置于支撑墙形成空腔的中央；

步骤4，对晶圆第二表面上对应切割道的位置进行预切割，并切割去 除部分的支撑墙，形成第一槽体(104)；

步骤5，对晶圆第二表面进行刻蚀，将焊盘上方的材料去除，形成第 二槽体(106)；

步骤6，在晶圆第二表面及第二槽体内壁制作重分布层，将焊盘的电 性通过第二槽体导通到预设的焊球(404)的位置；重分布层结构包括钝 化层(401)、金属层布线层(402)和防焊层(403)。同时在第一槽体(104) 中也制作钝化层(401)与防焊层(403)，形成对预切割形成的第一槽体 (104)的包裹；

步骤7，对晶圆沿着切割道(105)进行切割以形成单颗芯片的封装 体。

2.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 所述第二槽体(106)暴露各焊盘的一部分，或者全部。

3.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 在晶圆切割道位置进行预切割时，切入支撑墙内部的深度在10μm至20 μm之间。

4.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 所述盖板(300)同支撑墙(200)利用键合胶进行键合，所述支撑围墙与 晶圆第一表面利用键合胶进行键合。

5.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 所述刻蚀方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 钝化层(401)和防焊层(403)材料相同。

7.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 所述金属布线层(402)没有覆盖切割道(105)区域。

8.根据权利要求1所述降低边缘应力的晶圆级封装方法，其特征在于， 所述防焊层(403)的厚度不超过钝化层(401)厚度的1.5倍。