[发明专利]氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法

摘要

氮化物半导体紫外线发光装置(1)通过将氮化物半导体紫外线发光元件(10)倒装芯片安装在基台(30)上，并通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂进行树脂密封而成，该氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)表面上的AlGaN系半导体的半导体层叠部(12)、n电极(13)、p电极(14)、以及形成在蓝宝石基板(11)背面上的使紫外线透过的背面覆盖层(15)。背面覆盖层(15)具有使蓝宝石基板(11)的背面的一部分露出的开口部(16)，开口部(16)配置为均匀地分散或分布在所述蓝宝石基板的背面上，开口部(16)的与蓝宝石基板(11)的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，背面覆盖层(15)的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，开口部(16)的内部被所述非晶质氟树脂覆盖填充。

主权项

一种氮化物半导体紫外线发光装置，其通过将氮化物半导体紫外线发光元件倒装芯片安装在倒装芯片安装用的基台上而成，其特征在于，所述氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板、层叠在所述蓝宝石基板的表面上的多个AlGaN系半导体层、由1个或多个金属层构成的n电极、由1个或多个金属层构成的p电极、以及形成在所述蓝宝石基板的背面上且由使紫外线透过的无机化合物构成的背面覆盖层，所述背面覆盖层具有使所述蓝宝石基板的背面的一部分露出的开口部，所述开口部配置为均匀地分散或者分布在所述蓝宝石基板的背面上，所述开口部的与所述蓝宝石基板的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，所述氮化物半导体紫外线发光元件通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂而被树脂密封，所述背面覆盖层的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，并且所述开口部的内部被所述非晶质氟树脂填充。