[发明专利]氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体紫外线发光装置，其通过将氮化物半导体紫外线发光元件倒装芯片安装在倒装芯片安装用的基台上而成，其特征在于，

所述氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板、层叠在所述蓝宝石基板的表面上的多个AlGaN系半导体层、由1个或多个金属层构成的n电极、由1个或多个金属层构成的p电极、以及形成在所述蓝宝石基板的背面上且由使紫外线透过的无机化合物构成的背面覆盖层，

所述背面覆盖层具有使所述蓝宝石基板的背面的一部分露出的开口部，

所述开口部配置为均匀地分散或者分布在所述蓝宝石基板的背面上，

所述开口部的与所述蓝宝石基板的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，

所述氮化物半导体紫外线发光元件通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂而被树脂密封，

所述背面覆盖层的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，并且所述开口部的内部被所述非晶质氟树脂填充。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光装置，其特征在于，

所述背面覆盖层是HfO₂、ZrO₂、SiO₂的任一方的1层、或者它们中的至少2层的层叠体。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光装置，其特征在于，

所述背面覆盖层的折射率比所述蓝宝石基板的折射率大。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光装置，其特征在于，

所述开口部的俯视形状是点状、条纹状、格子状、同心圆状、同心环状、漩涡状的任一个形状。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光装置，其特征在于，

构成所述非晶质氟树脂的聚合物或共聚物的结构单位具有含氟脂肪族环结构。

6.一种氮化物半导体紫外线发光装置的制造方法，该氮化物半导体紫外线发光装置是权利要求1至5中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光装置，其特征在于，

所述氮化物半导体紫外线发光元件的制造工序具备：

在蓝宝石基板的表面上形成多个AlGaN系半导体层、由1个或多个金属层构成的n电极、以及由1个或多个金属层构成的p电极后，在所述蓝宝石基板的背面上形成抗蚀剂层，之后，将所述抗蚀剂层图案化为规定的俯视形状，并且与所述蓝宝石基板的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的宽度比远离所述背面的部位的宽度大的部分的工序；

在图案化后的所述抗蚀剂层上以及未被所述抗蚀剂层覆盖的所述蓝宝石基板的背面上堆积使紫外线透过的背面覆盖层的工序；以及

除去所述图案化后的所述抗蚀剂层及堆积在所述抗蚀剂层的上表面的所述背面覆盖层，对所述背面覆盖层进行图案化的工序。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体紫外线发光装置的制造方法，其特征在于，

所述抗蚀剂层是光致抗蚀剂，

对所述抗蚀剂层进行图案化的工序是如下的工序：在所述蓝宝石基板的背面上形成所述光致抗蚀剂后，对所述光致抗蚀剂进行曝光及显像处理，并将所述光致抗蚀剂图案化为所述规定的俯视形状，并且与所述蓝宝石基板的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的宽度比远离所述背面的部位的宽度大的部分。

8.根据权利要求6或7所述的氮化物半导体紫外线发光装置的制造方法，其特征在于，具有：

使所述氮化物半导体紫外线发光元件的所述p电极和所述n电极、形成在所述基台上且与所述p电极和所述n电极对应的电极焊盘经由接合材料分别电连接并且物理连接，从而将所述氮化物半导体紫外线发光元件倒装芯片安装在所述基台上的工序；以及

形成由所述非晶质氟树脂构成的树脂层的工序，所述非晶质氟树脂覆盖所述基台的载置所述氮化物半导体紫外线发光元件的载置面、所述氮化物半导体紫外线发光元件的侧面以及所述背面覆盖层的表面，并且通过所述非晶质氟树脂填充所述基台的所述载置面与所述氮化物半导体紫外线发光元件之间的间隙部、以及所述背面覆盖层的所述开口部的内部。