[发明专利]使用选择性氮化硅覆盖对具有自对准内部间隔件和SOI FINFET的多沟道纳米线器件的制造有效
| 申请号： | 201580082490.7 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107924946B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | V·H·勒;S·B·克伦德宁;M·M·米坦;S·S·廖 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了选择性地氮化半导体器件表面的方法。例如，在鳍状物的顶部上形成硬掩模以创建SOI结构。可以通过氮化鳍状物的顶部来形成硬掩模。在其它实施例中，在鳍状物的顶部上生长氮化硅，以形成硬掩模。在另一实施例中，在环栅结构中相邻纳米线之间形成内部间隔件。通过氮化沟道区与源极区和漏极区之间的剩余层间材料来形成内部间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 选择性 氮化 覆盖 具有 对准 内部 间隔 soi finfet 沟道 纳米 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：纳米线叠置体，所述纳米线叠置体布置在衬底上方，所述纳米线叠置体具有多条竖直叠置的纳米线；源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区在所述纳米线叠置体的相对两端；栅极结构，所述栅极结构围绕所述多条纳米线中的每一条纳米线，所述栅极结构限定所述器件的在所述源极区与所述漏极区之间的沟道区；以及扩散界面区，所述扩散界面区在每两个相邻纳米线的所述沟道区与所述源极区和所述漏极区之间。
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