[发明专利]封盖的磁性存储器有效
| 申请号： | 201580080103.6 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107667437B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | D·R·兰伯恩;O·戈隆茨卡;C·J·维甘德;P·E·海尔;M·T·拉赫曼;R·J·卡斯特利亚诺;T·班萨尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括一种装置，该装置包括：位于第一电极与第二电极之间的磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结(MTJ)包括固定层与自由层之间的电介质层；直接接触第一电极的侧壁的电介质膜；以及经由所述电介质膜耦合到所述侧壁的金属层；其中(a)竖直轴与第一电极和第二电极以及MTJ相交，但不与金属层相交，(b)第一水平轴与金属层、电介质膜以及第一电极相交；并且(c)位于第一水平轴与MTJ之间的第二水平轴与电介质膜和第一电极相交，但不与封盖层相交。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一电极，所述第一电极在衬底上；第二电极，所述第二电极在所述第一电极与所述衬底之间；垂直磁性隧道结(pMTJ)，所述垂直磁性隧道结在所述第一电极与所述第二电极之间，所述垂直磁性隧道结包括位于固定层与自由层之间的电介质层；保护膜，所述保护膜直接接触所述第一电极的侧壁；以及封盖层，所述封盖层在所述第一电极的侧壁上；其中，(a)竖直轴与所述第一电极和所述第二电极以及所述pMTJ相交，但不与所述封盖层相交，(b)正交于所述竖直轴的第一水平轴与所述封盖层、所述保护膜以及所述第一电极相交，但不与所述pMTJ相交；并且(c)位于所述第一水平轴与所述pMTJ之间的第二水平轴与所述保护膜和所述第一电极相交，但不与所述封盖层或所述pMTJ相交。
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