[发明专利]封盖的磁性存储器

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一电极，所述第一电极在衬底上；

第二电极，所述第二电极在所述第一电极与所述衬底之间；

垂直磁性隧道结(pMTJ)，所述垂直磁性隧道结在所述第一电极与所述第二电极之间，所述垂直磁性隧道结包括位于固定层与自由层之间的电介质层；

保护膜，所述保护膜直接接触所述第一电极的侧壁；以及

封盖层，所述封盖层在所述第一电极的侧壁上；

其中，(a)竖直轴与所述第一电极和所述第二电极以及所述pMTJ相交，但不与所述封盖层相交，(b)正交于所述竖直轴的第一水平轴与所述封盖层、所述保护膜以及所述第一电极相交，但不与所述pMTJ相交；并且(c)位于所述第一水平轴与所述pMTJ之间的第二水平轴与所述保护膜和所述第一电极相交，但不与所述封盖层或所述pMTJ相交。

2.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述第一电极包括第一材料，并且所述第二电极包括第二材料；

所述装置进一步包括位于所述第一电极的所述侧壁上的包括所述第二材料的沉积物，其中，第一保护膜的一部分在所述沉积物与所述第一电极的所述侧壁之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一电极的所述侧壁中的一个侧壁与所述第二电极的一个侧壁大体上共线。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一材料包括钽(Ta)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)中的至少一种，并且所述第二材料包括钌(Ru)和铜(Cu)中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述封盖层不包括所述第二材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述保护膜是不导电的。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述封盖层包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、钨(W)和氮化钽(TaN)中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述保护膜包括电介质。

9.根据权利要求6所述的装置，其中，所述保护膜直接接触所述pMTJ。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述保护膜直接接触所述pMTJ的位于所述第一电极的一侧上的上表面部分和所述pMTJ的位于所述第一电极的另一侧上的另一上表面部分。

11.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述封盖层从所述第一电极的侧壁的顶部向下延伸并且向下延伸不超过所述第一电极的所述侧壁的一半；

其中，所述封盖层不在所述第一电极的顶部上。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，顶部电极的上半部具有最小直径，并且底部电极的下半部具有不大于所述最小直径的200％的最大直径。

13.一种系统，包括：

处理器；

存储器，所述存储器耦合到所述处理器，所述存储器包括根据权利要求1至12中的任一项所述的装置；以及

通信模块，所述通信模块耦合到所述处理器，以用于与所述系统外部的计算节点进行通信。

14.根据权利要求13所述的系统，包括移动计算节点，所述移动计算节点包括含有所述pMTJ的非易失性存储器。