[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201580078567.3 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107873109A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李承宰;崔成哲;白宗协;全成兰;金相默;郑泰勋 | 申请（专利权）人： | 韩国光技术院 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王朋飞,张晶 |
| 地址： | 韩国光*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种能够改善氮化物系半导体发光元件的静电放电(ESD)耐压特性的氮化物系半导体发光元件及其制造方法，本发明的发光元件包括在上部面具有V形凹坑结构的第一导电性半导体层上利用低导电性物质平坦地形成的活性层和第二导电性半导体层，或者在上部面具有V形凹坑结构的第一导电性半导体层上利用低导电性物质进行平坦化且在活性层与第二导电性半导体层的邻接面具有V形凹坑结构，因此V形凹坑区域的厚度为临界厚度以上且导电性非常低，从而阻断电流流动，而其余区域的厚度为临界厚度以下，从而使电流向上部流动，因此具有减少泄漏电流并强化其他元件的耐久性的同时减少由穿透位错产生的非发光再结合，使发光强度的降低最小化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于，包括：基板；第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面具有V形凹坑(v‑pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国光技术院，未经韩国光技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580078567.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多层金属介电膜的物理气相沉积及退火处理
- 下一篇：柔性基板及其支撑和分离方法
