[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于，包括：

基板；

第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；

高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；

活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及

第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，

所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面具有V形凹坑(v-pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦。

3.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述活性层与所述第二导电性半导体层的邻接面为平面结构。

4.一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于，包括：

基板；

第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；

高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；

活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及

第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，

所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面以及所述活性层与所述第二导电性半导体层的邻接面分别具有V形凹坑(v-pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦。

5.根据权利要求4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构。

6.根据权利要求4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述第二导电性半导体层具有V形凹坑结构。

7.根据权利要求1或4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层的硅杂质的浓度为10¹⁸/cm³以下。

8.根据权利要求1或4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层的镁杂质的浓度为10¹⁶/cm³以上。

9.根据权利要求1或4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层的厚度为10nm～1000nm。

10.一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：

第一步骤，在基板上部生长第一导电性半导体层，并在上部表面形成V形凹坑结构；

第二步骤，在所述第一导电性半导体层上部用低导电性物质使V形凹坑结构平坦化，以形成高电阻半导体层；以及

第三步骤，在平坦化的高电阻半导体层上部依次形成活性层和第二导电性半导体层。

11.一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：

第一步骤，在基板上部生长第一导电性半导体层，并在上部表面形成V形凹坑结构；

第二步骤，在所述第一导电性半导体层上部用低导电性物质使V形凹坑结构平坦化，以形成高电阻半导体层；

第三步骤，在平坦化的高电阻半导体层上部形成活性层，并在上部表面形成V形凹坑结构；以及

第四步骤，形成第二导电性半导体层，以使所述活性层上部的V形凹坑结构平坦化。

12.根据权利要求10或11所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在第三步骤中，在平坦化的高电阻半导体层上部形成第一导电性半导体层之后，形成所述活性层和所述第二导电性半导体层。

13.根据权利要求10或11所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述高电阻半导体层的厚度为10nm～1000nm。