[发明专利]转换元件、光电子半导体器件和用于制造转换元件的方法在审
| 申请号： | 201580075102.2 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107210345A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;斯特凡·伊莱克;迈克尔·齐茨尔斯佩格;布丽塔·格厄特茨;多米尼克·斯库尔滕 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述一种转换元件(100)。转换元件(100)包括转换层(16)，所述转换层包括转换波长的转换材料；在转换层的第一主面(20)上的第一封装层(30)，其中第一封装层具有在10μm和500μm之间的厚度；和在转换层的第二主面(22)上的第二封装层(32)，其中第二封装层具有在0.1μm和20μm之间的厚度。此外，提出一种光电子半导体器件(200)和一种用于制造转换元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 转换 元件 光电子 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种转换元件(100)，所述转换元件包括：‑转换层(16)，所述转换层包括转换波长的转换材料；‑在所述转换层的第一主面(20)上的第一封装层(30)，其中所述第一封装层具有在10μm和500μm之间的厚度；在所述转换层的第二主面(22)上的第二封装层(32)，其中所述第二封装层具有在0.1μm和20μm之间的厚度，并且其中所述第二封装层(32)具有Al2O3、SiO2、ZrO2、TiO2、Si3N4、硅氧烷、SiOxNy和/或帕利灵，或者由所述材料之一构成。
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