[发明专利]转换元件、光电子半导体器件和用于制造转换元件的方法

权利要求书

1.一种转换元件(100)，所述转换元件包括：

-转换层(16)，所述转换层包括转换波长的转换材料；

-在所述转换层的第一主面(20)上的第一封装层(30)，其中所述第一封装层具有在10μm和500μm之间的厚度；

在所述转换层的第二主面(22)上的第二封装层(32)，其中所述第二封装层具有在0.1μm和20μm之间的厚度，并且其中所述第二封装层(32)具有Al₂O₃、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Si₃N₄、硅氧烷、SiO_xN_y和/或帕利灵，或者由所述材料之一构成。

2.根据权利要求1所述的转换元件(100)，其中所述转换材料包括转换波长的量子点。

3.根据权利要求1或2所述的转换元件(100)，其中所述转换元件的侧面(29)具有分割痕迹。

4.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(100)，其中所述第一封装层(30)通过由玻璃或塑料构成的载体元件形成。

5.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(100)，其中在所述第一封装层(30)上设置有框架元件(34)，所述框架元件侧向地围绕所述转换层。

6.根据权利要求5所述的转换元件(100)，其中所述第一封装层(30)和所述框架元件(34)一件式地构成。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的转换元件(100)，其中所述第二封装层(32)延伸直到所述转换层(16)的侧面上并且侧向地围绕所述转换层。

8.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(100)，其中所述转换层全方位地被封装。

9.一种光电子半导体器件(200)，所述光电子半导体器件具有根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(100)，其中

-所述半导体器件具有设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(202)；

-所述半导体器件具有壳体本体(204)，所述壳体本体至少沿横向方向包围所述半导体芯片；和

-所述转换元件(100)设置在所述壳体本体上。

10.根据权利要求9所述的光电子半导体器件(200)，其中所述转换元件(100)设置在所述壳体本体(204)上，使得所述第一封装层(30)从所述转换层起观察背离所述半导体芯片(202)。

11.根据权利要求9或10所述的光电子半导体器件(200)，其中所述壳体本体(204)具有外壁区域(212)，所述外壁区域至少部分地侧向地围绕所述转换元件(100)。

12.一种用于制造多个根据权利要求1至8中任一项所述的转换元件(100)的方法，所述方法包括如下步骤：

a)提供载体复合件(10)；

b)在所述载体复合件上构成多个转换层(16)，其中所述转换层沿横向方向彼此间隔开并且分别以第一主面(20)设置在所述载体复合件上；

c)至少在所述多个转换层的各第二主面(22)上借助如下材料构成覆层(24)，所述材料与所述载体复合件的材料不同；和

d)将所述载体复合件(10)分割成多个转换元件(100)，其中每个转换元件(100)具有至少一个转换层(16)、所述载体复合件(10)的一部分作为第一封装层(30)和所述覆层(24)的一部分作为第二封装层(32)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在执行步骤b)之前，在所述载体复合件(10)上构成网格结构(12)，所述网格结构具有多个矩阵状地设置的留空部(14)，在所述留空部的区域中分别露出所述载体复合件，在步骤b)中在所述留空部之内构成所述多个转换层(16)，并且将所述网格结构在步骤d)中割断，使得每个转换元件(100)具有所述网格结构的一部分作为框架元件(34)，所述框架元件侧向地围绕所述转换层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述网格结构(12)通过如下方式构成：将板元件固定在所述载体复合件上，并且在所述板元件中构成留空部。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述网格结构通过如下方式构成：提供载体结构，在所述载体结构中构成矩阵状地设置的凹部。