[发明专利]磁性隧道结(MTJ)器件阵列有效
| 申请号： | 201580074911.1 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107210360B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | V·马赫卡奥特桑;M·G·戈特瓦尔德;M·巴达罗格鲁;J·康;K·李;Y·陆;C·朴 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件(100)包括第一磁性隧道结(MTJ)器件(122)、第二MTJ器件(123)和顶电极(110)。第一MTJ器件包括阻挡层(140)。第二MTJ器件包括该阻挡层(140)。顶电极(110)耦合到第一MTJ器件和第二MTJ器件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 mtj 器件 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括第一自由层和钉扎磁性层的第一磁性隧道结(MTJ)器件；以及包括第二自由层和所述钉扎磁性层的第二MTJ器件，其中所述第二自由层异于所述第一自由层，并且所述钉扎磁性层的一部分位于所述第一自由层与所述第二自由层之间；以及耦合到所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件的顶电极。
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