[发明专利]磁性隧道结(MTJ)器件阵列有效
| 申请号： | 201580074911.1 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107210360B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | V·马赫卡奥特桑;M·G·戈特瓦尔德;M·巴达罗格鲁;J·康;K·李;Y·陆;C·朴 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 mtj 器件 阵列 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括第一自由层和钉扎磁性层的第一磁性隧道结(MTJ)器件；以及
包括第二自由层和所述钉扎磁性层的第二MTJ器件，其中所述第二自由层异于所述第一自由层，并且所述钉扎磁性层的一部分位于所述第一自由层与所述第二自由层之间；以及
耦合到所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件的顶电极。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括与所述钉扎磁性层接触的第一介电层以及与所述第一介电层接触的第二介电层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第三介电层，所述钉扎磁性层位于所述第一介电层与所述第三介电层之间。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一MTJ器件包括阻挡层，并且其中所述第二MTJ器件包括所述阻挡层。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述钉扎磁性层位于所述阻挡层与所述顶电极之间。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的一部分位于所述第一自由层与所述第二自由层之间。
7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第三MTJ器件，所述第三MTJ器件包括第三自由层、所述阻挡层和所述钉扎磁性层，其中所述第三MTJ器件耦合到所述顶电极。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第一通孔，其中所述第一通孔将所述钉扎磁性层耦合到所述顶电极。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第二通孔，其中所述第二通孔将所述钉扎磁性层耦合到所述顶电极。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔异于所述第二通孔。
11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钉扎磁性层的第一表面垂直于所述钉扎磁性层的该部分的第二表面。
12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括耦合到所述第一MTJ器件的第一底电极。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括耦合到所述第二MTJ器件的第二底电极，其中所述第一底电极异于所述第二底电极。
14.一种形成包括第一磁性隧道结(MTJ)器件和第二MTJ器件的MTJ器件阵列的方法，所述方法包括：
执行第一蚀刻，其中所述第一蚀刻形成第一MTJ器件的第一磁性层并且形成第二MTJ器件的第二磁性层；以及
形成对所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件共用的钉扎磁性层，其中所述钉扎磁性层的一部分在所述第一磁性层与所述第二磁性层之间。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，形成所述钉扎磁性层包括执行第二蚀刻。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括至少部分地通过所述第二蚀刻来形成阻挡层，其中所述阻挡层的一部分位于所述第一磁性层与所述第二磁性层之间。
17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一磁性层包括第一自由层，并且所述第二磁性层包括第二自由层。
18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括结束所述第一蚀刻的执行，其中所述第一蚀刻是在所述钉扎磁性层的形成之前执行和完成的。
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