[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580073667.7 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107112392B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 卢茨·赫佩尔;诺温·文马尔姆 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种器件，所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中所述第一金属层设置在所述半导体本体和所述第二金属层之间。所述半导体本体具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和有源层(23)。所述器件具有穿通接触部(24)，所述穿通接触部延伸穿过所述第二半导体层和所述有源层，以电接触所述第一半导体层。所述第二金属层具有第一子区域(41)和通过中间空间(40)在横向上与所述第一子区域间隔开的第二子区域(42)，其中所述第一子区域与所述穿通接触部电连接并且与所述器件的第一电极性相关联。在俯视图中，所述第一金属层在横向上完全地跨越所述中间空间并且与所述器件的第二电极性相关联，所述第二电极性与所述第一电极性不同。此外，提出一种用于制造这种器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体器件(100)，所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中‑所述第一金属层设置在所述半导体本体和所述第二金属层之间，‑所述半导体本体在背离所述第一金属层的一侧上具有第一半导体层(21)，在朝向所述第一金属层的一侧上具有第二半导体层(22)，和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层(23)，‑所述器件具有穿通接触部(24)，所述穿通接触部延伸穿过所述第二半导体层和所述有源层，以电接触所述第一半导体层，‑所述第二金属层具有第一子区域(41)和通过中间空间(40)在横向上与所述第一子区域间隔开的第二子区域(42)，其中所述第一子区域与所述穿通接触部电连接并且与所述器件的第一电极性相关联，和‑在俯视图中，所述第一金属层在横向上完全地跨越所述中间空间并且与所述器件的第二电极性相关联，所述第二电极性与所述第一电极性不同，‑并且其中所述第二金属层(4)在横向上由成形体(10)限界，‑所述第二金属层(4)的在横向上间隔开的所述子区域(41，42)通过所述成形体(10)保持在一起，‑所述成形体(10)与所述第二金属层(4)一起形成所述器件的载体，‑所述第一金属层(3)是连贯的并且在俯视图中覆盖所述中间空间的至少90％。
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