[发明专利]光电子半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(100)，所述器件具有半导体本体(2)、第一金属层(3)和第二金属层(4)，其中

-所述第一金属层设置在所述半导体本体和所述第二金属层之间，

-所述半导体本体在背离所述第一金属层的一侧上具有第一半导体层(21)，在朝向所述第一金属层的一侧上具有第二半导体层(22)，和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层(23)，

-所述器件具有穿通接触部(24)，所述穿通接触部延伸穿过所述第二半导体层和所述有源层，以电接触所述第一半导体层，

-所述第二金属层具有第一子区域(41)和通过中间空间(40)在横向上与所述第一子区域间隔开的第二子区域(42)，其中所述第一子区域与所述穿通接触部电连接并且与所述器件的第一电极性相关联，和

-在俯视图中，所述第一金属层在横向上完全地跨越所述中间空间并且与所述器件的第二电极性相关联，所述第二电极性与所述第一电极性不同，

-并且其中所述第二金属层(4)在横向上由成形体(10)限界，

-所述第二金属层(4)的在横向上间隔开的所述子区域(41，42)通过所述成形体(10)保持在一起，

-所述成形体(10)与所述第二金属层(4)一起形成所述器件的载体，

-所述第一金属层(3)是连贯的并且在俯视图中覆盖所述中间空间的至少90％。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，

其中所述第一金属层(3)构成为所述器件的进行机械稳定的层。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，其中所述第一金属层(3)构成为是连贯的并且厚度在5μm和50μm之间，其中包括边界值。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，

其中所述第一金属层(3)和所述第一子区域(41)一起覆盖所述有源层(23)的总面积的至少90％。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，

其中所述第一子区域(41)和所述第二子区域(42)嵌入到所述成形体中。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，

其中所述第一金属层(3)和/或所述第二金属层(4)具有第一金属和至少一种其它材料，其中所述第一金属的份额为所述第一金属层的或所述第二金属层的至少90原子百分比。

7.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，

其中所述第一金属层(3)与所述第二金属层(4)相比具有更高的弹性模量，和/或所述第二金属层与所述第一金属层相比具有更高的热导率。

8.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，

其中所述第一金属层(3)具有开口(30)，所述穿通接触部(24)沿着竖直方向延伸穿过所述开口。

9.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，

其中能导电的层(6)设置在所述第一金属层(3)和所述第二金属层(4)之间，其中

-所述能导电的层具有第一子层(61)和与所述第一子层横向间隔开的第二子层(62)，

-所述第一子层与所述第一子区域(41)电连接，并且

-所述第二子层与所述第二子区域(42)电连接。

10.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，

其中所述第二金属层(4)邻接于所述能导电的层(6)，并且所述第一子区域(41)经由所述第一子层(61)与所述穿通接触部(24)电连接。

11.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，

其中所述能导电的层(6)包含金属并且构成为镜层。