[发明专利]具有集成无源组件的开关式功率级有效
| 申请号: | 201580071579.3 | 申请日: | 2015-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN107210231B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
| 发明(设计)人: | 塔纳·朵思路欧格鲁 | 申请(专利权)人: | 朝阳半导体技术江阴有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/498;H01L27/088;H05K3/34 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 齐杨 |
| 地址: | 214423 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种可扩缩开关调节器架构可包含集成电感器。所述集成电感器可包含多层式衬底中的导通体或柱,其中选定导通体在一端处由所述多层式衬底的重分布层耦合,且不同地,在另一端处由硅集成电路芯片的金属层或由所述多层式衬底的另一重分布层耦合。所述导通体可通过微球耦合到所述硅集成电路芯片,其中所述导通体及微球布置成阵列。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 集成 无源 组件 开关 功率 | ||
【主权项】:
1.一种包含集成电路的封装,其包括:/n集成电路IC芯片,其包含系统单芯片SoC及电压调节器,所述电压调节器包含串联连接的第一与第二晶体管;/n多层式衬底,其通过微凸块耦合到所述IC芯片,所述微凸块包含至少一个微凸块阵列,所述多层式衬底包含至少一个重分布层及多个导通体,其中从所述至少一个微凸块阵列中的所述微凸块中的选定者延伸的选定导通体由所述至少一个重分布层成对地耦合,其中所述选定导通体电耦合到所述选定导通体中围绕所述微凸块的其它选定导通体;/n其中所述选定导通体及所述至少一个微凸块阵列中的所述微凸块形成电感器结构的至少一部分;/n其中电感器结构的所述至少一部分经定位以对应于所述电压调节器的所述第一及第二晶体管的布局区;且/n其中所述至少一个微凸块阵列包含第一微凸块阵列及第二微凸块阵列,所述第一微凸块阵列及所述第二微凸块阵列中的每一者包含第一组微凸块及第二组微凸块,所述第一微凸块阵列及所述第二微凸块阵列中的所述第一组微凸块分别布置成一对平行线,所述第一微凸块阵列及所述第二微凸块阵列中的所述第二组微凸块分别布置成平行于所述一对平行线的另外一对平行线,所述另外一对平行线中的所述线由所述第一组微凸块的所述一对平行线分开,所述第一微凸块阵列及所述第二微凸块阵列的所述第一组微凸块经配置以用于沿第一方向传递电流,且所述第一微凸块阵列及所述第二微凸块阵列的所述第二组微凸块经配置以用于沿第二方向传递电流,所述第二方向与所述第一方向相反。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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