[发明专利]高电压驱动发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580071566.6 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN107278334B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 崔云龙 申请(专利权)人: 康斯坦科
主分类号: H01L33/30 分类号: H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及相邻活性区域之间夹着通道防止层的半导体发光器件,上述通道防止层为在用于仅使在整体活性区域中的一个活性区域活性化的充分的施加电压下,电子或空穴无法移动的半导体层,在量子区域范围内,对相邻的两个活性区域进行独立分离,半导体发光器件在单一芯片内向垂直方向包括多个独立的活性区域,从而能够进行高电压驱动。
搜索关键词: 电压 驱动 发光 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种高电压驱动发光器件,其特征在于,上述发光器件包括:基板;下部半导体层,形成于上述基板;第一活性区域,形成于上述下部半导体层;第一通道防止层,形成于上述第一活性区域;第二活性区域,形成于上述第一通道防止层;第二通道防止层,形成于上述第二活性区域;第三活性区域,形成于上述第二通道防止层;以及上部半导体层,形成于上述第三活性区域,上述第一通道防止层及第二通道防止层为在用于仅使整体活性区域中的一个活性区域活性化的充分的施加电压下无法使电子或空穴移动的半导体层,在量子区域范围内,对相邻的两个活性区域进行独立分离;在上述上部半导体层被第一型的掺杂物涂敷的情况下,上述第二通道防止层和第一通道防止层能够分别被第二型及第一型的掺杂物涂敷,在上部半导体层被第二型的掺杂物涂敷的情况下,上述第二通道防止层和第一通道防止层分别被第一型及第二型的掺杂物涂敷,从而,从器件上部沿着垂直方向形成PNPN或NPNP的串联接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康斯坦科,未经康斯坦科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580071566.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top