[发明专利]高电压驱动发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201580071566.6 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN107278334B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 崔云龙 | 申请(专利权)人: | 康斯坦科 |
主分类号: | H01L33/30 | 分类号: | H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及相邻活性区域之间夹着通道防止层的半导体发光器件,上述通道防止层为在用于仅使在整体活性区域中的一个活性区域活性化的充分的施加电压下,电子或空穴无法移动的半导体层,在量子区域范围内,对相邻的两个活性区域进行独立分离,半导体发光器件在单一芯片内向垂直方向包括多个独立的活性区域,从而能够进行高电压驱动。 | ||
搜索关键词: | 电压 驱动 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高电压驱动发光器件,其特征在于,上述发光器件包括:基板;下部半导体层,形成于上述基板;第一活性区域,形成于上述下部半导体层;第一通道防止层,形成于上述第一活性区域;第二活性区域,形成于上述第一通道防止层;第二通道防止层,形成于上述第二活性区域;第三活性区域,形成于上述第二通道防止层;以及上部半导体层,形成于上述第三活性区域,上述第一通道防止层及第二通道防止层为在用于仅使整体活性区域中的一个活性区域活性化的充分的施加电压下无法使电子或空穴移动的半导体层,在量子区域范围内,对相邻的两个活性区域进行独立分离;在上述上部半导体层被第一型的掺杂物涂敷的情况下,上述第二通道防止层和第一通道防止层能够分别被第二型及第一型的掺杂物涂敷,在上部半导体层被第二型的掺杂物涂敷的情况下,上述第二通道防止层和第一通道防止层分别被第一型及第二型的掺杂物涂敷,从而,从器件上部沿着垂直方向形成PNPN或NPNP的串联接合。
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