[发明专利]切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580067732.5 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN107004589B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司;柳雄一朗 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/52;H01L21/301;C09J7/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种切割片及切割·芯片接合薄膜，其能够去除切割片的松弛，可以防止半导体元件彼此接触。涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。切割片具备基材和配置在基材上的粘合剂层。切割·芯片接合薄膜具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于所述加热前的MD方向的第1长度100％，所述加热后的所述MD方向的第2长度为95％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
