[发明专利]切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种切割片及切割·芯片接合薄膜，其能够去除切割片的松弛，可以防止半导体元件彼此接触。涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。切割片具备基材和配置在基材上的粘合剂层。切割·芯片接合薄膜具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。

技术领域

本发明涉及切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法。

背景技术

关于使用如图13、图14所示的、包含具有基材911和配置在基材911上的粘合剂层912的切割片901、以及配置在粘合剂层912上的粘接剂层903的切割·芯片接合薄膜910的半导体装置的制造技术，已知有如下的方法等：将具有半导体元件905A、905B、905C、……、905H及改性区域941的晶圆904压接在粘接剂层903上，扩展切割片901，从而使晶圆904及粘接剂层903以改性区域941为起点断开(例如参见专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2002-192370号公报

专利文献1:日本特开2003-338467号公报

发明内容

发明要解决的问题

如图15所示，解除扩展后，周边部912b会松弛。如果对周边部912b的松弛放任不管，则有时半导体元件905A和半导体元件905B、半导体元件905B和半导体元件905C、……半导体元件905G和半导体元件905H会接触。

本发明目的在于解决上述课题，提供一种能够消除松弛、可以防止半导体元件彼此接触的切割片。

用于解决问题的方案

本发明涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。由于相对于第1长度100％，第2长度为95％以下，因此通过加热能够去除松弛，可以防止半导体元件彼此接触。

本发明的切割片优选具有如下性质。即，在23℃下沿MD方向伸长3％时的拉伸应力为1N/mm²以上。为1N/mm²以上时，当割断半导体晶圆时会受到适度的拉伸应力，能够割断半导体晶圆且可以使半导体元件彼此隔开间隔。

本发明的切割片优选具有如下性质。即，在23℃下沿MD方向伸长6％时的拉伸应力为1.5N/mm²以上。为1.5N/mm²以上时，割断半导体晶圆时会受到适度的拉伸应力，因此，能够割断半导体晶圆且可以使半导体元件彼此隔开间隔。

本发明的切割片的厚度优选为40μm～200μm。本发明的切割片通常具备基材和配置在基材上的粘合剂层。

本发明还涉及一种切割·芯片接合薄膜，其具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。粘接剂层的玻璃化转变温度优选为0℃以上。优选粘合剂层具备与粘接剂层接触的中央部和配置在中央部的周边的周边部。

本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：准备分割体的工序；扩展切割片，从而使分割晶圆及粘接剂层以改性区域为起点断开的工序；在使分割晶圆和粘接剂层断开的工序之后，对周边部进行加热的工序。分割体具备切割·芯片接合薄膜、和配置在粘接剂层上的分割晶圆。分割晶圆具备改性区域。

附图说明

图1为切割片的剖面示意图。

图2为切割·芯片接合薄膜的剖面示意图。

图3为通过激光在半导体晶圆的内部形成改性区域的工序的立体示意图。