[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580063805.3 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107004718B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 铃木正彦;今井元;越智久雄;藤田哲生;北川英树;菊池哲郞;川岛慎吾;大东彻 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/304;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 薛晓伟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；薄膜晶体管，被所述基板支撑，将氧化物半导体层作为活性层；至少一层金属配线层，被所述基板支撑，含有铜；金属氧化膜，配置于所述至少一层金属配线层的上面，含有铜；绝缘层，隔着所述金属氧化膜而覆盖所述至少一层金属配线层；导电层，于形成在所述绝缘层的开口部内，未隔着所述金属氧化膜而与所述至少一层金属配线层的一部分直接相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580063805.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有阻燃功能的复合布料
- 下一篇：一种高阻隔两层PVC固体药用复合膜
- 同类专利
- 专利分类
