[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580063805.3 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107004718B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 铃木正彦;今井元;越智久雄;藤田哲生;北川英树;菊池哲郞;川岛慎吾;大东彻 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/304;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 薛晓伟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
薄膜晶体管，被所述基板支撑，将氧化物半导体层作为活性层；
至少一层金属配线层，被所述基板支撑，含有铜；
金属氧化膜，配置于所述至少一层金属配线层的上面和侧面，含有铜；
绝缘层，隔着所述金属氧化膜而覆盖所述至少一层金属配线层；
导电层，于形成在所述绝缘层的开口部内，未隔着所述金属氧化膜而与所述至少一层金属配线层的一部分直接相接，
所述至少一层金属配线层与所述导电层的界面比所述至少一层金属配线层与所述绝缘层的界面更平坦。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述金属氧化膜的厚度为20nm以上100nm以下。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一层金属配线层含有铜层，所述金属氧化膜为铜氧化膜。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一层金属配线层含有铜合金层，
所述铜合金层含有铜与铜以外的至少一种金属元素，
所述金属氧化膜含有铜与所述至少一种金属元素。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一层金属配线层的所述上面除了与所述导电层相接的部分外，被所述金属氧化膜覆盖。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一层金属配线层具有由相同的金属膜形成的多层金属层，
所述金属氧化膜被配置于所述多层金属层的上面以及侧面。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一层金属配线层含有源极配线层，
所述源极配线层含有所述薄膜晶体管的源极电极及漏极电极与电连接于所述源极电极的源极配线，
所述导电层于所述开口部内与所述漏极电极直接相接。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一层金属配线层含有栅极配线层，
所述栅极配线层含有所述薄膜晶体管的栅极电极与电连接于所述栅极电极的栅极配线。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，进一步具备所述至少一层金属配线层以外的其他金属配线层，
所述其他金属配线层的上面以含铜的其他金属氧化膜覆盖，侧面或下面与其他导电层直接相接。
10.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述薄膜晶体管具有通道蚀刻结构。
11.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体层含有In─Ga─Zn─O系半导体。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体层含有结晶质部分。
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