[发明专利]碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板有效
| 申请号： | 201580061654.8 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN107109693B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;西口太郎;玄番润 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/02;C23C16/42;C30B25/14;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅外延基板的制造方法，所述方法包括：准备碳化硅单晶基板的步骤(S101)；将碳化硅单晶基板放置在成膜装置的腔室内并降低腔室内的压力的步骤(S102)；将腔室内的温度升高到第一温度的步骤(S103)；将氢气引入到腔室内而调节腔室内的压力的步骤(S104)；将烃气体引入到腔室内的步骤(S105)；在保持腔室内的调节后的压力和氢气的流量并引入烃气体的状态下，将腔室内的温度升高到第二温度并将温度在第二温度下保持预定时间的基板改性步骤(S106)；和通过在保持第二温度的状态下将硅烷气体引入到腔室内而在碳化硅单晶基板上生长外延层的步骤(S107)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅外延基板，其包含：具有1°以上且8°以下的偏角的碳化硅单晶基板；和在所述碳化硅单晶基板上形成的外延层，在所述外延层的表面中，作为梯形凹陷的梯形缺陷的缺陷密度为1个/cm2以下，当在俯视图中观察时，所述梯形缺陷各自包含与<11‑20>方向相交的上底部和下底部，所述上底部的宽度为0.1μm以上且100μm以下，所述下底部的宽度为50μm以上且5000μm以下，所述上底部包含突起部，所述下底部包含多个台阶聚并，并且所述碳化硅单晶基板的主面为相对于{0001}面倾斜所述偏角的面。
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