[发明专利]碳化硅外延基板的制造方法和碳化硅外延基板有效
| 申请号： | 201580061654.8 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN107109693B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;西口太郎;玄番润 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/02;C23C16/42;C30B25/14;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅外延基板，其包含：
具有1°以上且8°以下的偏角的碳化硅单晶基板；和
在所述碳化硅单晶基板上形成的外延层，
在所述外延层的表面中，作为梯形凹陷的梯形缺陷的缺陷密度为1个/cm2以下，
当在俯视图中观察时，所述梯形缺陷各自包含与<11-20>方向相交的上底部和下底部，
所述上底部的宽度为0.1μm以上且100μm以下，
所述下底部的宽度为50μm以上且5000μm以下，
所述上底部包含突起部，
所述下底部包含多个台阶聚并，并且
所述碳化硅单晶基板的主面为相对于{0001}面倾斜所述偏角的面。
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述碳化硅单晶基板的直径为100mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延基板，其中，
所述外延层的厚度为5μm以上且30μm以下。
4.一种碳化硅外延基板，其包含：
具有相对于{0001}面倾斜1°以上且8°以下的主面并且直径为100mm以上的碳化硅单晶基板；和
在所述碳化硅单晶基板上形成并且厚度为5μm以上且30μm以下的外延层，
在所述外延层的表面中，作为梯形凹陷的梯形缺陷的缺陷密度为1个/cm2以下，
当在俯视图中观察时，所述梯形缺陷各自包含与<11-20>方向相交的上底部和下底部，
所述上底部的宽度为0.1μm以上且100μm以下，
所述下底部的宽度为50μm以上且5000μm以下，
所述上底部包含突起部，
所述下底部包含多个台阶聚并。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580061654.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线控制设备、终端设备以及通信方法
- 下一篇：丰富的D2D发现内容
