[发明专利]用于带内载波聚合的接收器前端架构有效
| 申请号： | 201580061296.0 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107112957B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F1/26;H03F1/30;H03F1/32;H03F3/68;H03F3/72;H04B1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于带内载波聚合的接收器前端架构。在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 载波 聚合 接收器 前端 架构 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一晶体管，具有被配置为接收输入信号的栅极端子、被配置为输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子；第二晶体管，具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子；以及第三晶体管，具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580061296.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率放大器、功率放大方法、功率放大控制装置及方法
- 下一篇：D类放大器电路
