[发明专利]用于带内载波聚合的接收器前端架构有效
| 申请号: | 201580061296.0 | 申请日: | 2015-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN107112957B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/22 | 分类号: | H03F1/22;H03F1/26;H03F1/30;H03F1/32;H03F3/68;H03F3/72;H04B1/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张曦 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 载波 聚合 接收器 前端 架构 | ||
1.一种电子装置,包括:
第一晶体管,具有被配置为接收输入信号的栅极端子、被配置为输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子;
第二晶体管,具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子;以及
第三晶体管,具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子,
其中,所述第三晶体管的所述漏极端子通过开关选择性地连接至所述第一负载。
2.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括:第四晶体管,具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的源极端子和连接至所述第一负载的漏极端子,所述第四晶体管被配置为传导与所述第二晶体管相同或不同的电流量。
3.根据权利要求2所述的电子装置,所述第四晶体管由控制信号选择性地启用或偏置用于DC耦合以控制去往所述第一负载的电流。
4.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括一个或多个另外的晶体管,所述一个或多个另外的晶体管具有分别连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的一个或多个栅极端子、分别连接至一个或多个负载的一个或多个漏极端子、以及连接至所述信号地的一个或多个源极端子。
5.根据权利要求4所述的电子装置,所述一个或多个漏极端子通过一个或多个开关选择性地连接至所述一个或多个负载。
6.根据权利要求5所述的电子装置,所述一个或多个开关由一个或多个控制信号选择性地启用。
7.根据权利要求4所述的电子装置,所述一个或多个另外的晶体管的所述漏极端子通过一个或多个开关选择性地连接至所述第一负载。
8.根据权利要求7所述的电子装置,所述一个或多个开关由一个或多个控制信号选择性地启用。
9.根据权利要求1所述的电子装置,所述第二晶体管由控制信号选择性地启用或偏置用于DC耦合。
10.根据权利要求1所述的电子装置,所述第三晶体管的所述漏极端子通过开关选择性地连接至所述第二负载。
11.根据权利要求10所述的电子装置,所述开关由控制信号选择性地启用或偏置用于DC耦合。
12.根据权利要求1所述的电子装置,所述开关由控制信号选择性地启用。
13.根据权利要求1所述的电子装置,进一步包括控制器,用以生成控制信号,以选择性地启用所述第二晶体管和所述第三晶体管或偏置所述第二晶体管和所述第三晶体管用于DC耦合。
14.根据权利要求1所述的电子装置,所述电子装置被配置为在接收器中执行载波聚合信号的可配置的放大和路由。
15.根据权利要求1所述的电子装置,所述电子装置被形成在集成电路上。
16.一种电子装置,包括:
用于生成控制信号的部件,所述控制信号对信号如何被放大和路由至一个或多个负载进行控制,所述信号从第一晶体管输出,所述第一晶体管具有通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子;
用于基于所述控制信号通过第一信号路径将所述信号选择性地连接至第一负载的部件;以及
用于基于所述控制信号将所述信号选择性地连接至第二负载的部件,其包括接收所述信号并具有连接至所述信号地的源极端子的晶体管。
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