[发明专利]可调吸收的多层激光剥离结构在审
| 申请号： | 201580060177.3 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107078023A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | P.安德里;J.格洛姆;C.K-I.曾;B.韦伯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用黏着层及烧蚀层两者的吸收特性来促进装置晶片与玻璃操作体的剥离，而不会损害装置晶片。黏着层及烧蚀层的穿透深度选择成使得到达装置晶片的表面的烧蚀注量至多是可忽略的量。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 吸收 多层 激光 剥离 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供激光装置，配置为发射选定波长的UV光；获得结构，其包含装置晶片、附着于该装置晶片的黏着层、UV‑透射操作体和该操作体与该黏着层之间且附着于该黏着层的烧蚀层，该烧蚀层在该选定波长具有介于0.1微米至0.2微米之间的光学穿透深度且具有为至少两个穿透深度的厚度，该黏着层在该选定波长具有介于2微米至20微米之间的光学穿透深度以及为至少一个穿透深度的厚度；使该激光装置朝该结构发射该选定波长的UV光并烧蚀该烧蚀层；以及使该操作体与该装置晶片分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580060177.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：饭盒
- 下一篇：用于铰接床的可一体成型的轻质床框架的方法与结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
