[发明专利]可调吸收的多层激光剥离结构

权利要求书

1.一种方法，包含：

提供激光装置，配置为发射选定波长的UV光；

获得结构，其包含装置晶片、附着于该装置晶片的黏着层、UV-透射操作体和该操作体与该黏着层之间且附着于该黏着层的烧蚀层，该烧蚀层在该选定波长具有介于0.1微米至0.2微米之间的光学穿透深度且具有为至少两个穿透深度的厚度，该黏着层在该选定波长具有介于2微米至20微米之间的光学穿透深度以及为至少一个穿透深度的厚度；

使该激光装置朝该结构发射该选定波长的UV光并烧蚀该烧蚀层；以及

使该操作体与该装置晶片分离。

2.如权利要求1或2所述的方法，其中该选定波长介于308nm与355nm之间。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中该烧蚀层和该黏着层允许源自该激光装置的激光注量的2％或更少离开该黏着层。

4.如权利要求1或2或3所述的方法，其中该装置晶片包含硅，该方法还包含使用该装置晶片形成主动半导体装置的步骤和形成金属配线层于该装置晶片上的步骤。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该操作体本质由实质上对该选定波长为透明的玻璃材料组成。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该装置晶片包含钝化层和金属接触垫。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该黏着层包含吸收该选定波长的光的染料。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该黏着层包含悬浮于其中的纳米粒子，用于散射该选定波长的UV光。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该烧蚀层包含吸收该选定波长的光的染料。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中该烧蚀层在该选定波长具有本征的光学吸收特性。

11.一种结构，包含：

装置晶片；

附着于该装置晶片的黏着层，该黏着层在308nm至355nm之间的选定波长具有介于2微米至20微米之间的光学穿透深度且具有为至少一个穿透深度的厚度；

UV-透射操作体；

介于该UV-透射操作体与该黏着层之间的烧蚀层，该烧蚀层在该选定波长具有介于0.1微米至0.2微米之间的光学穿透深度且具有为至少两个穿透深度的厚度，该烧蚀层在受到激光注量时将进一步发生分解。

12.如权利要求11所述的结构，其中该操作体本质由实质上对该选定波长为透明的玻璃材料组成。

13.如权利要求11或12所述的结构，其中该黏着层包含吸收该选定波长的光的染料。

14.如权利要求11或12或13所述的结构，其中该黏着层包含悬浮于其中的纳米粒子，用于散射该选定波长的UV光。

15.如权利要求11至14中任一项所述的结构，其中该黏着层在该选定波长具有本征光学吸收特性。

16.如权利要求11至15中任一项所述的结构，其中该烧蚀层在该选定波长具有本征光学吸收特性。

17.如权利要求11至16中任一项所述的方法，其中该烧蚀层包含有机平坦化层。

18.如权利要求11至17中任一项所述的结构，其中该烧蚀层包含吸收该选定波长的光的染料。

19.如权利要求11至18中任一项所述的结构，其中该烧蚀层具有小于0.5微米的厚度。

20.如权利要求11至19中任一项所述的结构，其中该烧蚀层的厚度介于在该选定波长的两个到四个穿透深度之间。

21.如权利要求11至20中任一项所述的结构，其中该黏着层的厚度介于在该选定波长的一个到两个穿透深度之间。