[发明专利]具有双基极双极结型晶体管的优化操作的电路、方法和系统

摘要

本申请特别教示用于操作B‑TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B‑TRAN受所施加的电压控制，而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作驱动电路的优选实施方案以提供二极管模式接通和预切断操作以及具有低电压降的硬接通状态(“晶体管接通”状态)。在一些实施例中，自同步整流器电路提供栅极驱动电路的可调整的低电压。在一些优选实施例中，用于驱动c基极区域(在集电极侧上)的基极驱动电压变化，同时监视此端子处的基极电流，以使得不施加不必要的基极电流。这解决了优化B‑TRAN中的基极驱动的困难挑战。

主权项

一种用于功率切换的系统，包括：双向双极晶体管，具有由块体第二传导类型基极区域隔开的两个第一传导类型发射极/集电极区域，以及在隔开分开的位置中连接到所述块体基极区域的两个不同的第二传导类型基极接触区域；以及第一晶体管模式驱动电路和第二晶体管模式驱动电路，分别独立地连接到所述第一基极接触区域和所述第二基极接触区域；其中每一驱动电路作为电压源被配置以在所述对应的基极接触区域与最接近所述基极接触区域的所述发射极/集电极区域之间可选择地施加可调整的电压；以及第一二极管模式驱动电路和第二二极管模式驱动电路，分别独立地连接到所述第一基极接触区域和所述第二基极接触区域；其中每一驱动电路被配置成将所述对应的基极接触区域可选择地连接到最接近所述基极接触区域的所述发射极/集电极区域。