[发明专利]具有双基极双极结型晶体管的优化操作的电路、方法和系统

权利要求书

1.一种操作双向双极晶体管的方法，所述双向双极晶体管具有处于由块体第二传导类型基极区域隔开的不同位置中的第一个第一传导类型发射极/集电极区域和第二个第一传导类型发射极/集电极区域，并且所述双向双极晶体管还具有在分别接近第一个第一传导类型发射极/集电极区域和第二个第一传导类型发射极/集电极区域但不相互接近的相互隔开的位置中连接到所述块体第二传导类型基极区域的两个不同的第二传导类型基极接触区域，所述方法包括以下动作：

a)当需要低接通状态电阻时，相对于集电极电压将基极驱动电压施加到当时处于所述双向双极晶体管的集电极侧上的那一基极接触区域；以及

b)在监视基极电流的同时改变所述基极驱动电压，以由此寻找目标基极驱动电压，在所述目标基极驱动电压下，随着增大基极驱动电压，所述集电极侧上的那一基极接触区域的微分电导在预设的敏感度阈值之上变得可检测；以及在所述目标基极驱动电压下操作所述双向双极晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一个第一传导类型发射极/集电极区域和所述第二个第一传导类型发射极/集电极区域位于第二传导类型半导体管芯的相对表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基极电流最初是以零的基极驱动电压测量的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述双向双极晶体管接通时，所述改变步骤重复多次。

5.一种用于功率切换的系统，包括：

双向双极晶体管，具有由块体第二传导类型基极区域隔开的两个第一传导类型发射极/集电极区域，以及在相互隔开的位置中连接到所述块体第二传导类型基极区域的两个不同的第二传导类型基极接触区域；以及

一对晶体管模式驱动电路，分别独立地连接到第一个所述第二传导类型基极接触区域和第二个所述第二传导类型基极接触区域；其中在所述两个第一传导类型发射极/集电极区域之间需要低电压降的晶体管接通状态期间，根据外部电压极性，所述驱动电路中的一个被配置成：

相对于相应的发射极/集电极电压，将可调整的电压施加到选定的一个基极接触区域，并且使所述可调整的电压抖动，以因此寻找操作点电压，在所述操作点电压下，随着增大所施加的电压，所述选定的基极接触区域处的微分电导在预设敏感度阈值之上变得可检测，并接着将所述可调整的电压保持在所述操作点电压。