[发明专利]用于具有改进的内部电场的检测器的系统和方法有效
| 申请号： | 201580059214.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107148582B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | A.沙哈;Y.格拉泽;J.勒夫伊;A.奥范;R.哈-拉范 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;刘春元 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种包含阴极、阳极和半导体晶圆的辐射检测器。半导体晶圆具有相对的第一和第二表面。阴极安装到第一表面，并且阳极安装到第二表面。半导体晶圆配置成由在阴极与阳极之间的电压偏置以在半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号。电场具有某个强度,其具有设置成接近第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 改进 内部 电场 检测器 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种辐射检测器，包括：阴极；阳极；具有相对的第一和第二表面的半导体晶圆，所述第一表面具有安装于此的所述阴极，并且所述第二表面具有安装于此的所述阳极，所述晶圆配置成由在所述阴极与所述阳极之间的电压偏置以在所述半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号，其中所述电场具有某个强度，所述强度具有设置成接近所述第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值，所述半导体晶圆包括退火区域，且所述至少一个局部最大值在所述退火区域。
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