[发明专利]用于具有改进的内部电场的检测器的系统和方法

权利要求书

1.一种辐射检测器，包括：

阴极；

阳极；

具有相对的第一和第二表面的半导体晶圆，所述第一表面具有安装于此的所述阴极，并且所述第二表面具有安装于此的所述阳极，所述晶圆配置成由在所述阴极与所述阳极之间的电压偏置以在所述半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号，其中所述电场具有某个强度，所述强度具有设置成接近所述第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值，所述半导体晶圆包括退火区域，且所述至少一个局部最大值在所述退火区域。

2.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述阳极包括多个像素化阳极接触件。

3.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述电场包括接近所述第一表面的第一局部最大值和接近所述第二表面的第二局部最大值。

4.如权利要求3所述的辐射检测器，其中所述第一和第二局部最大值具有实质上类似的值。

5.如权利要求3所述的辐射检测器，其中所述第一和第二局部最大值具有实质上不同的值。

6.如权利要求1所述的辐射检测器，其中用于电子和空穴穿过所述半导体晶圆的所述半导体晶圆的漂移时间比用于所述电子和空穴的寿命更短。

7.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述至少一个局部最大值配置成促使空穴穿过所述半导体晶圆以便在比所述空穴的寿命更短的时间段内漂移到所述阴极。

8.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述至少一个局部最大值配置成促使设置成接近所述第二表面的电子以感应在所述阳极具有小的像素效应的电荷。

9.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述半导体晶圆由碲化镉(CdTe)组成。

10.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述半导体晶圆由碲锌镉(CZT)组成。

11.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述辐射检测器配置成检测X射线或伽玛射线辐射中的至少一个。

12.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述辐射检测器配置供与单光子发射计算断层成像(SPECT)、计算断层成像(CT)或正电子发射断层成像(PET)中的至少一个一起使用。

13.一种用于形成辐射检测器的方法，包括：

提供具有第一表面和相对的第二表面的半导体晶圆，所述晶圆配置成由在所述第一表面与所述第二表面之间的电压偏置以在所述半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号；

对所述半导体晶圆进行退火，其中退火被控制，使得所述电场具有某个强度，所述强度具有设置成接近所述第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值，且所述至少一个局部最大值在所述半导体晶圆的退火区域；

应用阴极到所述第一表面；以及

应用阳极到所述第二表面。

14.如权利要求13所述的方法，还包括在应用对应的阴极或阳极之前从所述第一表面或所述第二表面中的至少一个去除层。

15.如权利要求14所述的方法，其中去除所述层包括抛光或蚀刻中的至少一个。

16.如权利要求13所述的方法，还包括在对所述半导体具有进行退火之前使所述第一或第二表面中的至少一个平滑。

17.如权利要求13所述的方法，其中退火过程被限制在所述第一或第二表面中的至少一个上。